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# TSV 制造工艺 ...）制造工艺是现代[[半导体制造]]领域中一项关键的技术，尤其是在[[三维集成电路]]（3D IC）的实现中扮演着至关重要的角色。本文旨在为初学者提供对TSV制造工艺的全面且深入的理解，涵盖其原理、关键步骤、� ...

...技术:** [[TSV]] (通过硅通孔) 是三维集成中最常用的垂直互连技术。它通过在硅片上蚀刻出通孔，然后用金属填充通孔，实现芯片之间的垂直连接。TSV的制造工艺复杂，对设备精度要求很高。 * **硅通孔 (TSV) 技术:** 通过在硅片上蚀刻出通孔，然后用金属填充通孔� ...

...宽内存 (HBM)'''：HBM是目前最成熟的3D堆叠内存技术之一，主要用于高性能图形处理单元（GPU）和高性能计算（HPC）领域。HBM通过硅通孔（TSV）将多个DRAM层堆叠在一起，并与处理器通过宽接口连接， * '''混合内存立方体 (HMC)'''：HMC是由三星开发的另一种3D堆叠内存技术，与HBM类似，也使用TSV连接多个DRAM层。HMC旨在提供更高的灵活性和可扩展性，并 ...

...孔 (Through-Silicon Via, TSV) 技术堆叠在中间层互连层 (Interposer) 上，实现 Chiplet 之间的互连。[[TSV技术]] 是 2.5D 集成的核心技术。 * **3D 集成：** Chiplet 直接堆叠在一起，通过 TSV 或其他互连技术实现 Chiplet 之间的互连。[[3D芯片堆叠]] � ...

...* '''硅通孔 (Through-Silicon Via – TSV):''' TSV是在硅衬底上蚀刻的垂直通孔，用于连接堆叠芯片上的不同层。TSV是3D芯片堆叠的关键技术，它提供了高密度、低电阻的互� | TSV || 高密度互连，低电阻，高带宽 || 成本高，工艺复杂 || H ...

* **架构:** GDDR6 使用传统的片上芯片封装，而 HBM 采用 3D 堆叠技术，将多个内存芯片堆叠在一起，并通过硅通孔 (TSV) 进行连接。 [[硅通孔 (TSV)]] ...

* '''晶圆堆叠（Wafer Stacking）：''' 将多个晶圆堆叠起来，并通过[[硅通孔]]（TSV）进行连接。这是目前最成熟的3D集成技术之一。 | 晶圆堆叠 || TSV || 成熟，互连密度高 || 成本高，散热挑战大 || ...

...hrough-Silicon Via，硅通孔）技术。TSV是在硅片上蚀刻出的微小垂直通道，这些通道用于连接堆叠的芯片层。与传统的[[线缆]]连接相比，TSV具有以下优势： * **更高的带宽：** TSV连接更短、更直接，从而提高了数据传输速度。这对于需� ...

* <b>互连技术</b>: 实现高密度、可靠的垂直互连是一个挑战。常用的互连技术包括 [[硅通孔]] (TSV)、[[微凸点]] (Micro-bumps) 和 [[混合键合]] (Hybrid Bonding)。 * <b>硅通孔 (TSV)</b>: TSV 是通过硅片蚀刻形成的垂直通道，用于连接不同的芯片层。TSV 具有高密度、高带宽和低电阻的优点。 ...